光刻胶板块异动:政策催化 + 技术突破 + 供应链重构下的国产替代深度解析

4 月 17 日 A 股光刻胶板块的异动,背后反映了半导体产业链自主可控的战略逻辑与行业基本面的持续改善。


一、政策催化:国产替代加速的直接推手

原产地新规重塑产业链格局

4 月 11 日中国半导体行业协会发布的集成电路 “原产地” 认定新规,明确以 “晶圆流片地” 作为判定标准,直接冲击依赖海外代工的进口芯片。这一政策迫使下游企业转向本土晶圆厂,中芯国际、华虹半导体等企业订单激增,带动光刻胶需求预期。


关税豁免缓解供应链压力

4 月 16 日美国宣布对部分中国产半导体设备及材料豁免高额关税,释放出供应链缓和的信号。这一政策降低了国内光刻胶企业的进口成本,同时提升市场对国产替代进程的信心。


长期政策支持加码

国家集成电路产业投资基金三期计划投入超 500 亿元支持光刻胶研发,科技部 “十四五” 新材料专项目标是到 2025 年将 KrF/ArF 光刻胶国产化率提升至 10%。政策红利持续释放,推动资金向光刻胶板块倾斜。


二、技术突破:行业升级的底层动力

国际巨头技术突破

应用材料公司在 4 月 16 日获得光刻胶曝光后处理关键专利(CN113835299B),其技术突破可能提升光刻胶的制程效率和良率。虽然该专利属于国际企业,但国内企业可能通过技术合作或逆向研发受益。


国内企业自主创新

材料端:意芯微电子在 4 月 17 日申请光刻胶剥离液专利,通过巯基化合物与表面活性剂的加入,改善金属银和铝的腐蚀问题,提升产品性能。


设备端:北方华创的刻蚀机、拓荆科技的薄膜沉积设备已实现 28 纳米产线全覆盖,半导体材料国产化率突破 20%。设备与材料的协同发展,为光刻胶应用提供了技术支撑。


专利布局加速

国科光芯金杏在 4 月 17 日申请的氧化硅厚度控制专利,虽不直接涉及光刻胶,但可能影响半导体制造工艺,间接推动光刻胶需求。


三、国际动态:供应链重构的外部推力

全球半导体市场复苏

2024 年全球半导体销售额达 627 亿美元,同比增长 19%,其中存储芯片增长 81%,逻辑芯片增长 16.9%。行业复苏带动光刻胶需求,预计 2025 年全球光刻胶市场规模将达 150 亿美元,中国占比超 30%。


国际厂商产能调整

ASML 一季度财报显示 EUV 光刻机销售稳定,但 High NA EUV 的进展可能对全球半导体制造产生影响。国内光刻胶企业面临技术追赶的压力,但同时也获得更多国产替代的机会。


4 月 17 日光刻胶板块的异动,本质是政策驱动、技术突破与国际供应链重构共同作用的结果。短期需警惕估值波动,长期来看,在半导体自主可控的战略背景下,光刻胶作为 “卡脖子” 环节,其国产替代进程将加速,行业龙头有望持续受益。


本文资料来源:金融界


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