一、政策组合拳强化国产替代预期

关税壁垒与产能导向政策

中国半导体行业协会 6 月发布的 “原产地认定规则” 明确以晶圆厂所在地为关税判定标准，直接阻断美企通过第三方封装规避高关税的路径。叠加美国对存储芯片维持高税率（DRAM、NAND Flash 进口关税未归零），国内厂商如长江存储、长鑫存储的本土产能价值凸显。此外，9 月 9 日工信部等两部门发布的《电子信息制造业 2025-2026 年稳增长行动方案》提出 “支持集成电路科技创新”，并将设备更新纳入政策工具，进一步夯实行业长期发展基础。

大基金三期资金注入预期

国家集成电路产业投资基金三期已明确重点支持存储芯片领域，预计带动超 2000 亿元社会资本投向晶圆制造、封测及设备材料环节。市场预期政策红利将加速国内存储企业产能扩张与技术迭代。

二、全球供需错配推动价格上涨

头部厂商产能调控与技术分化

三星、SK 海力士、美光等国际巨头将产能集中转向 HBM、DDR5 等高阶产品，同时削减 DDR4 及移动端 LPDDR4X 供应，并宣布相关产品进入生命周期末期。这直接导致消费级 DDR4 合约价在 2025 年 Q3 涨幅达 85%-90%，企业级 SSD 价格亦因 AI 服务器需求激增而上涨 10%。CFM 闪存市场报告进一步指出，2025 年 Q4 企业级存储与手机嵌入式存储价格将延续涨势，强化市场对行业复苏的预期。

AI 与非 AI 需求分化加剧结构性短缺

AI 服务器、数据中心对 HBM、企业级 SSD 的需求爆发式增长（如美光 HBM 产能 2025 年售罄），而消费电子需求疲软形成鲜明对比。这种分化导致存储市场呈现 “高端缺货、低端承压” 的格局，国产厂商凭借车规级、嵌入式存储的快速突破（如佰维存储车规芯片通过认证）抢占市场空白。

三、国产替代加速突破技术与产能瓶颈

长江存储全国产化产线试产在即

长江存储首条完全依赖国产设备的试验线计划于 2025 年下半年试产，涵盖光刻、刻蚀、沉积等全环节。若试产成功，将彻底摆脱对美系设备的依赖，推动国内 NAND Flash 产能全球占比从 7% 提升至 15%（2026 年目标）。此举不仅增强供应链安全，更将降低制造成本，为国产存储芯片参与全球价格竞争提供支撑。

长鑫存储 DRAM 技术追赶与产能爬坡

长鑫存储 17nm DDR5 内存预计 2025 年底量产，良率突破 85%，目标 2026 年建成全球首个基于自主架构的 20nm 以下 DRAM 量产线。其产能扩张（2025 年底月产能 11 万片）直接带动封测环节需求激增，长电科技、通富微电等厂商受益显著。

四、技术突破与新兴应用打开增长空间

存算一体架构与 HBM 需求爆发

华为 “以存代算” 新架构降低对 HBM 的依赖，直接带火车规级和嵌入式存储。与此同时，AI 服务器单机 HBM 搭载量已达 1TB（传统服务器仅 128GB），推动 HBM 价格半年内涨幅达 80%。国内厂商如澜起科技（DDR5 内存缓冲芯片市占率超 40%）、雅克科技（存储材料国产替代）深度受益于技术迭代。

车规级与工业级存储放量

智能汽车 ADAS 系统对存储带宽的需求推动 LPDDR5X 渗透率在车载领域达 43%，单车存储容量从 2022 年的 128GB 升至 2025 年的 512GB。佰维存储、北京君正等企业通过车规级产品认证，订单呈现指数级增长。

存储芯片异动是政策红利释放、全球供需错配、国产替代加速、技术突破及资金流入等多重因素共振的结果。从长期看，存储芯片行业正经历从 “周期驱动” 向 “结构性增长” 的转型，AI、车规、工业控制等新兴需求与国产技术突破将成为核心增长极。

本文资料来源：金融界

存储芯片核心概念股：https://group-app.itougu.com/hotspot/subject/detail?id=90000957